太陽能電池的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100127268

專利證號

I 458117

專利獲證名稱

太陽能電池的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

本發明提供一種薄膜太陽能電池的製作方法，是將呈黏稠液體型態的導電基質佈設於一基材上，再將具有第一型摻雜的複數單晶粉末佈設在導電基質上，且多數單晶粉末未完全埋入導電基質中，接著進行熱處理，得到具有一由導電基質固化後形成的導電膜，及多數由單晶粉末裸露出導電膜的部份表面所構成的成核點的晶種層，再於晶種層上磊晶形成一第一半導體層，並在長晶的同時對應成核點形成複數半導體微晶，再接著於第一半導體層上磊晶形成一第二半導體層，最後於第二半導體層上形成電極層，而製得本發明之薄膜太陽能電池。 The invention provides a Multi-step method for manufacturing a thin film solar cell: (1) Coat a conductive viscous liquid layer on a substrate, (2) Spread the complex type I doping single crystal powder on the conductive layer, and most of the single crystal powder is not completely embedded in the conductive layer. (3) Proceed a heat treatment to obtain a conductive film which is solidified from the viscous liquid layer, and form a seed layer with the single crystal powders which is exposed from the surface of the conductive film. (4) Grow a first epitaxial semiconductor layer on the seed layer, and form a plural semiconductor microcrystallites corresponding to the nucleation point during crystal growth. (5) Then, the second epitaxial semiconductor layer is synthesized on the first semiconductor layer. (6) Finally, an electrode layer is deposited on the second semiconductor layer, Summarizedly, a new type invention of the thin film solar cell can be accomplished.

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

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