發光二極體結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099110501

專利證號

I 455355

專利獲證名稱

發光二極體結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2014/10/01

技術說明

本發明之主要目的在提供一種低阻值氮化物異質結構半導體發光二極體的製作方法，其係利用一n型多重異質結構所形成的連續性二維電子氣結構增加電子電流的側向分佈及降低異質結構中的片電阻值。而我們主要是以多重結構的高能隙材料排列至低能隙材InxAlyGa(1-x-y)N(0≦x≦1，0≦y≦1，0≦x+y≦1)，利用AlxGa(1-x)N/GaN，GaN/InyGa(1-y)N之間的自發性極化與壓電場極化效果於多重異質結構的接面處所產生的連續性二維電子氣，以增加電子的遷移率與電子濃度，降低整體n型半導體的串聯阻值與片電阻值以達到更佳的電流擴散效果。並且該結構位於量子井(發光區域)下方與n型接觸層的上方作為使用。

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利 本部(收文號1070000312)同意該校106年12月28日中大研智字第10061400741號函申請同意專利讓與 (對象)億光電子工業股份有限公司 EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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