具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置 | 專利查詢

具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置


專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101128798

專利證號

I 469917

專利獲證名稱

具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/01/21

技術說明

一種具表面增強拉曼散射活性之結構,包含一基底、至少一金屬奈米粒、一介電層以及一金屬奈米層。金屬奈米粒設置在基底上,而介電層覆蓋基底及金屬奈米粒並因此具有一夾角,又金屬奈米層覆蓋介電層,且金屬奈米層包含一間隙,而間隙係位在介電層的夾角處。 發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種具活性之結構,且特別是有關於一種具表面增強拉曼散射活性之結構、其製造方法及其偵測裝置。 因此,本發明之一態樣是在提供一種具表面增強拉曼散射活性之結構,藉由位在金屬奈米粒與金屬奈米層之間的介電層,防止金屬奈米粒與金屬奈米層之電子相互干擾,同時利用金屬奈米層的間隙,創造大面積且集中的熱點範圍,使結構上之待測分子的拉曼信號強度能夠進一步獲得提升。 其次,本發明之另一態樣是在提供一種製造具表面增強拉曼散射活性之結構的方法,藉由一系列的步驟,可使具表面增強拉曼散射活性之結構的製造更為簡便、快速並具備高產率。 A SERS-active structure is disclosed. A SERS-active structure comprises a substrate, at least one metal nanoparticle, a dielectric layer and a metal nanolayer. The metal nanoparticles are disposed on the substrate. The substrate and the metal nanoparticles are covered by the dielectric layer, so that the dielectric layer forms a recessed portion. The dielectric layer is covered by the metal nanolayer and the metal nanolayer has a nanogap located at the recessed portion.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219


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