高能量密度的非對稱型擬電容器及其製作方法High energy density asymmetric pseudocapacitor and method of making the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103114371

專利證號

I 592959

專利獲證名稱

高能量密度的非對稱型擬電容器及其製作方法High energy density asymmetric pseudocapacitor and method of making the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2017/07/21

技術說明

一種非對稱型擬電容器，包含陰極板、陽極板，及設置於陽極板及陰極板間並供離子穿透的隔離膜。陰極板包括第一導電基材及形成於第一導電基材上的多孔性陰極薄膜，多孔性陰極薄膜具有多數片狀複合物，及穿伸於片狀複合物的間隙間且與片狀複合物接觸的網狀結構，片狀複合物為具有石墨烯、過渡金屬化合物及奈米碳管的複合物，網狀結構具有奈米碳管，陽極板包括第二導電基材及形成於第二導電基材上的陽極薄膜，陽極薄膜具有石墨烯及奈米碳管的複合物。本發明多孔性陰極薄膜直接形成於該第一導電基材而有效提升電容特性。 Here we show that a green route to graphene preparation and the hybrid (graphene/CNTs/MnO2 composites + CNTs) nanocomposites for the construction of asymmetrical SCs (graphene/CNTs/MnO2 composites + CNTs // graphene/CNTs composites) help in enhancing the maximum voltage of SCs and providing unprecedented energy density (maximum energy density: 304.1 Wh kg-1 (power density of 19.9 kW kg-1)). It also shows excellent cycling stability with 89% specific capacitance maintained after 10,000 cycles. These results indicate that our designed asymmetric pseudocapacitors are appropriate for practical applications.

備註

本會(收文號1120019924)同意該校112年4月7日陽明交大研產學字第1120010771號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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03-5738251

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