連續式合成碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103130541

專利證號

I 498206

專利獲證名稱

連續式合成碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2015/09/01

技術說明

本發明揭示在基板上成長薄膜的方法,本方法可在基板上成長高品質和大面積規格的薄膜層(例如石墨烯層),並實現連續式化學氣相沉積法之生產的製程模式,進一步加速石墨烯量產化、商業化的程度。 與已經揭露的技術比較,本技術為連續式製程模式,非批次量的化學氣相沉積法製備薄膜的概念。本技術因此具有更高量產性、低成本優勢。尤其未來對於石墨烯的需求為大面積,以及連續轉印作為後續的基板應用來說,捲對捲之連續式的生產乃必須之開發技術。 Description of Invention (please type or print clearly): The present invention discloses a process for forming a thin film with a continuous process. The process can form a thin film such as a graphene film on a substrate in high quality and in large area with a continuous chemical vapor deposition process. To achieve mass-produced and commercial ability.

備註

本會(收文號1120022455)同意該校112年4月19日中大研產字第1121400419號函申請終止維護專利(國立中央大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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