氫氣感測器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092103025

專利證號

202519

專利獲證名稱

氫氣感測器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2004/09/17

技術說明

本專利係有關於一種氫氣感測器元件及其製造方法。在本發明中， 首先利用金屬有機化學氣相沈積法(MOCVD)或分子束磊晶法(MBE)在 一半導體基底上成長所需摻雜濃度與厚度之化合物半導體薄膜；接 著於該薄膜上以真空蒸鍍技術沈積一金鍺合金層作為歐姆接觸 (Ohmic contact)金屬層，然後成長一品質佳之氧化物絕緣層薄膜， 再以無電鍍技術鍍覆一層對氫氣具有選擇性之金屬膜於其上以形成 金-絕-半式之蕭特基(Schottky)接觸結構。檢測氫氣時，氫分子會 解離成原子並傳送至金屬與絕緣層之界面上，利用氫原子被界面電 場極化所產生的反向偶極層(dipolar layer)，可降低金-絕-半接面 之蕭特基能障，使二極體元件電性產生變化。由實施例中可發現， 利用無電鍍鍍膜技術所製備此類金-絕-半式之氫氣感測器結構可檢 測極低之氫氣濃度至15 ppm，且當氫氣濃度達1 ％時，其飽和靈敏 度更可高達至260 ％。 This invention demonstrates a hydrogen sensor device and its manufacturing method. In this work, a compound semiconductor active layer with the desired dopant concentration and thickness is grown on a semi-insulating semiconductor substrate by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE) system. Then, the AuGe alloy is evaporated on the surface of active layer as the Ohmic contact.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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