具π型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095125520

專利證號

I 299893

專利獲證名稱

具π型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2008/08/11

技術說明

首次提出利用側壁回蝕技術(Sidewall Etchback Technology)製作一個π型源汲極之金氧半場 效電晶體，利用此裝置配合上現有之矽基板，可以藉由源/汲極的雙通道將碰撞游離所產生的 電洞有效排至矽基板，並且將通道層所產生之熱能經由源/汲極雙通道排除解決散熱問題，除 此之外三個各別形成的氧化阻隔層能同時隔離巨大的PN接面寄生電容與降低接面漏電流，且能 使用矽基板製作，比SOI基板成本大為減少，並且由於此π型裝置，可完全達成自我對準(self- aligned)技術，使製程步驟大為簡化，並且此π型裝置具有較佳的縮小性，可朝向10奈米技術 發展，並能同時克服浮體效應(floating-body effects)與自我加熱效應(self-heating effects)。

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址