近紅外光發光二極體及其製造方法NEAR-INFRARED LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/520,494

專利證號

US 9,362,453 B2

專利獲證名稱

近紅外光發光二極體及其製造方法NEAR-INFRARED LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2016/06/07

技術說明

進紅外光發光元件對於夜視、光通訊、生醫感測等領域具有相當廣泛的應用。有鑑於現今進紅外光發光元件需要高昂的真空製程設備，且現今可發出進紅外光之材料中只有極少具有可溶解性，而這些可溶解的材料需要較複雜的化學製程，本發明專利申請案揭露一種由簡易的溶液製程即可製成的進紅外光發光元件。所使用的材料包含一種鈣鈦礦半導體三碘化銫錫與有機小分子。 本研究首次實踐使用CsSnI3材料於進紅外光發光二極體。電洞可以經由電洞注入層PEDOT:PSS注入CsSnI3材料的價電帶，而電子可以由LiF/Al電極注入PBD材料的導電帶。由於PBD材料價電帶的能階較CsSnI3材料的價電帶低，所以電洞無法再由CsSnI3材料傳至PBD材料。然而，由於PBD材料導電帶的能階較CsSnI3材料的導電帶高，在PBD上的電子可以再傳輸到CsSnI3材料的導電帶。當CsSnI3材料中的電子與電洞複合則發出950 nm的光。 Near-infrared light-emitting devices are essential for applications such as night vision, optical communication, and bio-sensing. The near-infrared light-emitting devices were conventionally fabricated by sophisticated and expensive fabrication facilities. Only few near-infrared light-emitting materials can be dissolved in organic solutions. However, these soluble near-infrared light-emitting materials need sophisticate fabrication procedures. In this patent, we demonstrated a near-infrared light-emitting device can be achieved by easy solution processes from a soluble perovskite semiconductor CsSnI3 and an organic small molecule.

備註

本部(收文號1080003177)同意該校108年1月10日原產字第1080000118號函申請終止維護專利

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