應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098122549

專利證號

I 400579

專利獲證名稱

應用二氧化碳雷射來形成微結構於基板的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2013/07/01

技術說明

本發明為一種二氧化碳雷射應用於次100微米結構製作方法，主要目的係改善CO2雷射加工尺度過大( > 100-150 μm)之方法，主要是使用SUS-304型不鏽鋼材料所製作成的金屬光罩與可配合適當冷卻方式(水冷、氣冷)來輔助善CO2雷射加工，並有效將加工特徵尺度降低至比雷射光斑大小（spot size）還小的50 μm大小微細結構。本發明突破傳統雷射加工所知的加工尺度限制(100-150 μm)，有效使用低成本的CO2雷射在低能量下進行有關製程，金屬光罩能排除因熱傳導效果造成的熱影響區因素，配合適當冷卻方法亦可有效將CO2雷射加工尺度逼近光波波長範圍。此法具有加工面無磨損、表面光滑平整、更無粉塵、毛邊等產生而影響加工品質，提供了一個低成本、高精確度、潔淨表面、加工快速及大面積製作…等優勢，可廣泛應用於微米結構製作與應用。 This patent claims a fabrication of sub-100 μm microstructure using CO2 laser process; it uses the CO2 laser source, foil mask of stainless steel (SUS-304) and cooling method (water cooling, air cooling) to assist CO2 laser process, which are effective in reducing the feature size of laser product to 50 μm of microstructure. This patent is different from traditional laser process which is limited by the resolution of laser spot size. It also has advantage of using low-cost and low-power CO2 laser in this process. A foil mask can improve the heat-affect zone factor by heat conduction effect, that cooling method can approach the feature size less than laser spot size. The process is rapid, efficient, large area making, simple and low cost using cheap CO2 laser power less than 10 watt. It can be widely used for microstructure fabrication and application.

備註

本部(收文號1090031211)同意該校109年5月29日成大技轉字第1095600304號函申請終止維護專利(成大)

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