電子傳輸結構及具有該電子傳輸結構的鈣鈦礦太陽能電池

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106109487

專利證號

I 617062

專利獲證名稱

電子傳輸結構及具有該電子傳輸結構的鈣鈦礦太陽能電池

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2018/03/01

技術說明

【中文】 不同於習知技術係於平面結構的鈣鈦礦太陽能電池之中使用雙層結構電子傳輸層以改善鈣鈦礦太陽能電池的效能，本發明係揭示由一界面偶極矩增幅層、一電子傳輸層與一界面層所構成的一種新式電子傳輸結構。其中，將此電子傳輸結構應用於鈣鈦礦太陽能電池之中，係能夠對形成於鈣鈦礦主動層與電子傳輸層之間的一界面偶極矩產生一增幅效果，進而改善發生於所述鈣鈦礦主動層表面的載子堆積，促使電子流向陰極層。同時，實驗數據亦係證實，相較於習知的使用雙層結構電子傳輸層的鈣鈦礦太陽能電池，包括此電子傳輸結構的鈣鈦礦太陽能電池係於短路電流、開路電壓、填充因子、以及功率轉換效率展現較為優異的效能表現。 【英文】 Differing from conventional technology utilizing double-layer electron transport layer (ETL) to improving conversion efficiency of perovskite solar cell, the present invention discloses a novel electron transport structure comprising an interfacial diploe moment enhancing layer, an electron transport layer and an interfacial layer. After applying this electron transport structure in a perovskite solar cell, it is found that an interfacial dipole moment formed between the electron transport layer and an active layer of the perovskite solar cell is amplified, so as to give rise to an enhanced driving force for the separation of photogenerated carriers and accelerating charge extraction. Moreover, a variety of experimental data have proved that, compared with the perovskite solar cell having double-layer ETL, the perovskite solar cell using this novel electron transport structure exhibits understanding performances including short-circuit current, open-circuit voltage, filling factor, and power conversion efficiency.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址