具有雙膜差動結構之場效型離子感測裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098140410

專利證號

I 452290

專利獲證名稱

具有雙膜差動結構之場效型離子感測裝置

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/09/11

技術說明

酸鹼度感測器可運用於各項工業檢測上，在石化、食品、水質、醫療、環保、電機、半導體、光電、生物科技等，包括在傳統工業以及高科技產業領域上，對於酸鹼度的量測與應用皆相當的頻繁與廣泛。與傳統玻璃電極相較下，離子感測場效電晶體主要是利用金氧半導體場效電晶體的原理，將其閘電極去掉之後，將帶有二氧化矽層的元件放在水溶液之中，發覺其效應與玻璃電極相同，即具有酸鹼感測特性。本發明揭露一種雙膜差動結構之場效型離子感測裝置之結構，其包含：一半導體基板，具有一上表面及一下表面；一絕緣層形成在半導體基板之上表面；第一薄膜層形成在絕緣層上；第二薄膜層形成在第一薄膜層之部份表面上；以及金屬接觸層，形成在半導體基板之部份下表面上。 A two-membrane differential structure is disclosed in the present invention and at least comprises a semiconductor substrate, an upside surface, a bottom surface, an insulator formed on the upside surface of semiconductor substrate. The first membrane is deposited on the insulator and the second membrane is deposited on part of the first membrane. A metal contact layer is deposited on the bottom surface of semiconductor substrate.

備註

本部(收文號1080060298)同意該校108年09月02日長庚大字第1080090006號函所報終止維護專利。

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