一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/561,977

專利證號

US 8,796,117 B2

專利獲證名稱

一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/05

技術說明

一種在矽晶片上成長之高載子遷移率電晶體結構及其方法，特別用於半導體產業之半導體元件製程，其係利用超真空化學氣相沉積在矽基板上成長一層鍺磊晶層，在於其上成長變形電子遷移率電晶體結構，在此結構中，鍺磊晶層之功用為防止矽晶片在使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)成長變形電子遷移率電晶體結構(MHEMT)時產生氧化物而影響電晶體元件結構的特性，其後藉由變形的結構以阻擋成長鍺磊晶層於矽晶片上時所產生的差排及缺陷，以達到降低元件厚度及減少製作成本之功效。 A structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof, in particular used for the semiconductor device manufacturing in the semiconductor industry. The UHVCVD system was used in the related invention to grow a Ge film on Si substrate then grow the high electron mobility transistor on the Ge film for the reduction of buffer layer thickness and cost. The function of the Ge film is preventing the formation of silicon oxide when growing III-V MHEMT structure in MOCVD system on Si substrate. The reason of using MHEMT in the invention is that the metamorphic buffer layer in MHEMT structure could block the penetration of dislocation which is formed because of the very large lattice mismatch(4.2%) between Ge and Si substrate.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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