氮氧化物感測器及其製造方法Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101126294

專利證號

I 475222

專利獲證名稱

氮氧化物感測器及其製造方法Nitrogen Oxide Sensor and Manufacturing Method Thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2015/03/01

技術說明

本發明揭示一種氮氧化物感測器及其製造方法，該氮氧化物感測器包含：一磊晶層；一歐姆電極層，成長於該磊晶層上；一蕭特基電極層，成長於該磊晶層上，並鄰接於該歐姆電極層；以及一催化性有機單分子層，包含烷烴雙硫醇分子及催化性金屬，該烷烴雙硫醇分子自組裝排列在該蕭特基電極層上，並具有一頭端結合在該蕭特基電極層，以及一尾端鍵結於該催化性金屬。該氮氧化物感測器對氮氧化物具有高靈敏度及選擇性，並適合於常溫環境下使用，且僅需低溫、低耗能之簡易製程即可進行製作。 A nitrogen oxide sensor and a manufacturing method thereof are provided. The nitrogen oxide sensor includes: an epitaxial layer; an Ohmic electrode layer deposited on the epitaxial layer; a Schottky electrode layer deposited on the epitaxial layer and adjoining to the Ohmic electrode layer; and a catalytic organic monolayer constructed by alkanedithiol molecules and catalytic metal. The alkanedithiol molecules are arranged on the Schottky electrode layer in a self-assembly manner, and each has a head end bonded to the Schottky electrode layer and a distal end bonded to the catalytic metal. The nitrogen oxide sensor has higher sensitivity and selectivity, and is suitably operated at room temperature. Furthermore, the manufacturing method of the nitrogen oxide sensor has advantages of low temperature, low power consumption, and relatively easy steps.

備註

本部(收文號1060027134)同意該校106年4月25日成大研總字第1064500318號函申請終止維護專利

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