晶片電感結構及其製造方法ON-CHIP INDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/607,433

專利證號

US 8,373,250 B2

專利獲證名稱

晶片電感結構及其製造方法ON-CHIP INDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/02/12

技術說明

本發明闡述具有金屬-陽極氧化鋁奈米複合材料核心的晶片型螺旋電感之製作。在矽晶圓上，可控制深寬比並且互相絕緣之金屬奈米柱被沈積在陽極氧化鋁基材之中以形成一層奈米複合材料，利用此奈米複合材料做為核心的電感顯示在高頻率時仍然有電感值增加並且沒有大量降低品質因素，因為此利用鐵磁-陽極氧化鋁奈米複合材料做為電感核心之電感值增加方案使用與CMOS相容製程並且能夠再更進一步提升電感值，因此本發明在未來射頻積體電路的製作上具有其龐大的應用潛力。

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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