離子感測裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097151528

專利證號

I 435078

專利獲證名稱

離子感測裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/04/21

技術說明

本發明係利用微機電系統(MEMS)製程與封裝技術，於同一矽晶片上分別設計與製作出五種不同的離子感測器，每個感測器之元件架構皆為延伸式閘極場效電晶體(Extended-gate field effect transistor, EGFET)，但各自沉積或塗佈H+、Ca2+、Cd2+、Pb2+以及Cu2+等不同的離子感測薄膜；另外，為了完成一個真正可應用於自來水品質監控的微系統(多功能電子舌)，本發明特別於晶片中心處，整合一積體化微型固態參考電極之設計，預計整個多功能電子舌晶片之尺寸(chip size) 為：(15 mm × 15 mm) ~ (18 mm × 18 mm)。 本發明想保護的部份如下: 1.一種結合微參考電極之多功能電子舌(離子感測陣列)晶片之製作方法 2.一種結合微參考電極之多功能電子舌(離子感測陣列)晶片之佈局與結構設計 3.可應用於多功能電子舌之四種離子感測薄膜(包含Ca2+、Cd2+、Pb2+以及Cu2+)製備方法

備註

本部(收文號1100013618)同意該校110年3月5日中產營字第1101400202號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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