釕承載於中孔洞MCM-41奈米金屬觸媒之方法及於對二甲苯氫化反應之應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100117028

專利證號

I 418405

專利獲證名稱

釕承載於中孔洞MCM-41奈米金屬觸媒之方法及於對二甲苯氫化反應之應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2013/12/11

技術說明

本發明揭示一種以化學流體沉積法製備釕承載於中孔洞MCM-41之奈米金屬觸媒，及於對二甲苯氫化反應之方法;其包括製備奈米觸媒方法一:選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium Acetylacetonate，Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒，先以適量之溶劑(例如: 四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪，再將溶劑抽乾後，即得到分散良好的粉末；將此粉末置入高壓反應器中，升溫到100 ℃至300 ℃。當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。或製備奈米觸媒方法二:選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl- 3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium，Ru(cod)(tmhd)2，而觸媒擔體為MCM-41，製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中，升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時，通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。其以化學流體沉積法製備之觸媒，能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中，相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。此製備之觸媒用於對二甲苯之氫化，其中釕對MCM-41之重量百分比介於1 wt.%至10 wt.%，氫氣壓力介於10 bar至100 bar，溫度介於20℃至100℃。 This invention declares the preparation of ruthenium supported on mesoporous MCM-41 with homogeneous dispersion by using chemical fluid deposition method, and its application on hydrogenation of p-xylene.This catalyst is used for hydrogenation of p-xylene. The pressure of hydrogen is between 10 bar and 100 bar and the reaction temperature is between 20 ℃ and 100 ℃. Compared to the conventional method, this process is very efficient and the conversion of p-xylene is improved significantly.

備註

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