電阻式隨機存取記憶體之介電層薄膜的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097118713

專利證號

I 377621

專利獲證名稱

電阻式隨機存取記憶體之介電層薄膜的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/11/21

技術說明

在本專利中將提出一種新穎的技術在低溫環境下製作出高效能的電阻式隨機存取記憶體(resistance random access memory)。一般電阻式隨機存取記憶體的製作通常是在高溫環境下沉積介電層薄膜或需要後續的高溫退火步驟才可顯現出電阻式記憶體元件特性；然而高溫處理不但會提高製程成本，同時也將使元件製程受限於可承受高溫的高單價基板(如: 矽晶圓)。本專利中將提出ㄧ種新穎的方式來製作電阻式隨機存取記憶體；所使用的技術為: 在低溫下沉積介電層薄膜後，利用超臨界流體進行處理(取代傳統的高溫後續處理)，使介電層薄膜展現出電阻式記憶體元件特性。超臨界流體處理技術可在低溫下(< 150 ℃)製作出高效能的電阻式隨機存取記憶體，有效地達到低溫製程之目的，因此適用於低溫基板(如: 玻璃基板、塑膠基板)。

備註

本部(收文號1080052387)同意該校108年7月30日中產營字第1081400796號函所報終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址