發光二極體晶片裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096145628

專利證號

I 379437

專利獲證名稱

發光二極體晶片裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/12/11

技術說明

一種發光二極體晶片裝置，包含一發光二極體晶片，及一透光罩。該發光二極體晶片包括一定義一光軸之發光面。該透 光罩是環覆該發光二極體晶片，並包括一透明本體，及一自該本體之一頂面圍繞該光軸向該發光面形成之導光曲面，該 導光曲面是呈往該發光面逐漸束縮的倒錐形。藉由該透光罩之設置，可使得該發光二極體晶片發出之光束在通過該透光 罩時產生全反射及折射之現象，進而使得光束的光形分佈更廣。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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