含碳元件發射電流之提升

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091134985

專利證號

I 207083

專利獲證名稱

含碳元件發射電流之提升

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2004/06/21

技術說明

本案提供一種技術，用以實現體形微小但電流發射能力好的電流發射裝置，其發 射電流所需要的發射電壓可以更低或不變。這電流發射裝置的較佳實現方式是採 用碳微管陣列或薄膜。這種技術的主要特徵是，氧化含碳電流發射裝置，直到含 碳電流發射裝置有至少一部位變形。經過本案技術處理過的電流發射裝置，變成 較能夠搭配顯示器使用或發射較高密度的電流，卻不需要提高發射電壓，反而可 以降低發射電壓。根據實驗結果，經過本案技術處理的碳微管，發射電流的密度 達到原碳微管的8倍，而起始發射電壓從原0.8V/mm降到0.5V/mm。

備註

本部(收文號1040059380)同意該校104年8月6日清智財字第1049004329號函申請終止維護專利(清華) (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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