具有積體電路與發光二極體之異質整合結構及其製作方法HETEROSTRUCTURE CONTAINING IC AND LED AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/224,607

專利證號

US 8,536,613 B2

專利獲證名稱

具有積體電路與發光二極體之異質整合結構及其製作方法HETEROSTRUCTURE CONTAINING IC AND LED AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/09/17

技術說明

一種使用三維積體電路關鍵技術之LED與積體電路異質整合結構，包括：一LED元件，該LED元件包含至少一第一接合金屬和第一接合接著層，一功能性IC，該功能性IC包含至少一第二接合金屬和第二接合接著層，利用此金屬/接著層混合型接合(hybrid bonding)方式將LED與IC做3D堆疊連接，LED與IC間除了傳統散熱功能外，更有電訊上之連接功用，將可達到高密度、多功能之LED-3D異質整合技術開發及應用。 The LED-IC heterogeneous integration structure using 3D IC key technologies, comprising: A LED device with at least one first bonding metal and first bonding adhesive, and a functional IC with at least one second bonding metal and second bonding adhesive, wherein the second bonding metal is connected with the first bonding metal, and the second bonding adhesive is connected with the first bonding adhesive. The 3D stacking structure can meet the high density and multi-functional LED-3D application.

備註

本部(收文號1090020336)同意該校109年4月6日交大研產學字第1091002952號函申請終止維護專利(交大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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