氧化鋅奈米片構造層及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103122916

專利證號

I 496752

專利獲證名稱

氧化鋅奈米片構造層及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2015/08/21

技術說明

本計畫的內容為使用低溫水溶液法在可撓式聚亞醯胺(PI)基板上成長新穎一維之氧化鋅奈米結構並進一步的來研製可撓式紫外光光偵測器。此外此研究也分析了氧化鋅奈米結構之場發射特性，經由實驗結果發現當外加紫外光照射於氧化鋅奈米柱時將可以大幅提升場發射性能。其場發射起始電場可由 4.3 V/μm 降至2.0 V/μm。其原因為當外加紫外光照射於氧化鋅奈米柱時將可產生大量的電子，因此使得場發射能力有效提升。另外，在光檢測器的特性分析中，我們也發現氧化鋅奈米柱比傳統式氧化鋅薄膜更具有高的光暗電流比以及更好的光電表現。其原因為一維氧化鋅奈米柱具有高的體表面積比，因此有較高的光捕捉吸收效率，大大的提升了光電特性。 Vertical zinc oxide nanorods were synthesized on flexible polyimide (PI) substrate by a low temperature process, aqueous method. The field emission performance of ZnO nanorods can be greatly enhanced by illuminating UV light. It was found that the turn-on electric field can be reduced from 4.3 to 2.0 V/μm and it is attributed to generate a large number of electrons by UV illumination. Compared with the conventional ZnO film photodetectors, the ZnO nanorods photodetectors have much higher photocurrent. As a result, it is attributed to high surface-to-volume ratio of nanorods, which provide an efficient light trapping absorption.

備註

本部(收文號1080024276)同意該校108年4月16日虎科大智財字第1083400058號函申請終止維護專利

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