感測場效電晶體裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098117383

專利證號

I 414787

專利獲證名稱

感測場效電晶體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2013/11/11

技術說明

本發明揭露一種感測場效電晶體裝置，係以無機薄膜與製程方式進行氫離子的感測。本發明採用具有高形變應力之感測薄膜，藉由調變薄膜厚度或改變基板型態及摻雜濃度，調整感測薄膜對於氫離子感應的靈敏度，並搭配一高靈敏度之元件，透過準參考電極與一差動放大電路讀出訊號，形成為無機離子感測場效電晶體/參考場效電晶體裝置，可避免參考電極微型化所產生的不穩定問題，進而將感測器產品微型化，並同時降低其非理想效應，提升使用壽命與效能。 In this patent, a novel ISFET/REFET system is developed based on inorganic sensing membranes and CMOS process technologies. The sensitivity of hydrogen ion concentration can be modified by the thickness of sensing membrane, the types of silicon substrate, and the substrate doping concentrations. The output response of the ISFET/REFET pair is measured through a quasi reference electrode(qRE) and a differential readout system.

備註

本部(收文號1080075332)同意該校108年11月14日長庚大字第1080110157號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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