閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095120938

專利證號

I 307908

專利獲證名稱

閘極控制場發射三極元件及該元件之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2009/03/21

技術說明

氧化鋅奈米棒藉由水熱法以95oC低溫製備與半導體製程的方式製備場發射三極結構，利用半導 體元件製作的技術，成功的製作出使用一道光罩定義出氧化鋅奈米棒之生長區域與，一種具備 有閘極控制的氧化鋅奈米線場發射元件，於矽表面引進氧化鋅緩衝層後則可成長高度一致較具 垂直方向之奈米線；利用水熱法製備之氧化鋅奈米線具有直接能隙3.21 eV，於室溫下其激發 光光波長為406nm；於場發射量測中氧化鋅奈米棒具有較低的起始電壓(1.6 V/μm)門檻電壓 (2.1 V/μm)與高場發射增強因子(3340)；

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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