三族-氮奈米結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092108606

專利證號

I308552

專利獲證名稱

三族-氮奈米結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/04/11

技術說明

本發明是以三族-氮化合半導體材料製作各式自組性的奈米結構，包含單一材料的奈米柱 （線），複合材料的奈米柱（線），以及單一奈米柱（線）上成長多層奈米結構。其主要 是將傳統結構縮小至奈米尺度，以全新的分子束磊晶法直接成長垂直於基板的單晶奈米柱 （線），並且可在真空的環境下連續作業，不需額外的製程即可作複合材料奈米柱 （線），並可直接製作成為奈米元件，大幅的增進應用性，而且，可直接架構於IC元件 上，與IC產業有良好的銜接性，此一優點可使本發明有高度的可行性。由研究成果顯示， 這些奈米結構材料，為垂直於基板的奈米柱，且均為高品質的單晶結構，材料特性極優 良。再者，本發明之結構可以直接成長，並可直接製作成元件，產品化的可行性極高，未 來將可應用於前瞻的奈米光電元件，是相當新穎的技術，並可協助產業跟越另一個層級， 以因應未來龐大的市場需求。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址