一種半導體元件之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092121548

專利證號

I225709

專利獲證名稱

一種半導體元件之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

行政院原子能委員會核能研究所

獲證日期

2004/12/21

技術說明

本發明揭露一種半導體元件之製備方法，尤其是指一種發光元件之製 備方法，其中該發光元件包含一磊晶結構、一P型歐姆接觸電極及一N 型歐姆接觸電極。該磊晶結構包含複數層可發光之磊晶層。該P型歐姆 接觸電極包含設置於該磊晶結構上之一鎳層、設置於該鎳層上之一鉑 層及設置於該鉑層上之一金層。該發光元件之製備方法首先形成一磊 晶結構於一基板之表面。之後，形成一P型歐姆接觸電極薄膜於該磊晶 結構上以及形成一N型歐姆接觸電極薄膜於該基板之另一表面。然後進 行一回火製程，其中該回火製程之溫度係介於220℃至330℃之間。 A kind of method for fabricating semiconductor device is disclosed in the present invention. In particular, the invention is related to a fabricating method of a light- emitting device. The light-emitting device contains an epitaxial structure, a P-type ohmic contact electrode and an N-type ohmic contact electrode. The epitaxial structure contains plural epitaxial layers capable of emitting light. The P-type ohmic contact electrode contains the first nickel layer deposited on the epitaxial structure, the first platinum layer deposited on the first nuckel later, and the first gold later deposited on the first platinum later. In the manufacturing method of light emitting device, an epitaxial structure is first formed on a substrate surface. Then, a P-type ohmic contact electrode is formed on the epitaxial structure and an N-type ohmic contact electrode is formed on the other surface of the substrate. After that, an annealing process between 220℃ and 330℃ is conducted.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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