半導體元件之參數萃取方法PARAMETER EXTRACTION METHOD FOR SEMICONDOCTOR DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/137,190

專利證號

US 8,691,599 B2

專利獲證名稱

半導體元件之參數萃取方法PARAMETER EXTRACTION METHOD FOR SEMICONDOCTOR DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/04/08

技術說明

一種計算金氧半電晶體元件一有效通道寬度的方法，在待測多閘指元件總通道寬度相同的條件下，利用高頻量測的方法，量測不同閘指數目元件的閘極電容。經過標準的M1 Open Deembedding的過程求出有效閘極電容Cgg(DUT,OM1) 後，對有效閘極電容以及閘指數目做圖並求出直線關係式，並相對應的求出的斜率 a。藉由模擬方式求得主動區以外以外所有金屬層以下的雜散電容Cf(poly_end)，並利用長通道元件求得單位面積之通道電容Cox(inv)後，本發明可以利用斜率 a 、Cf(poly_end)以及Cox(inv) 求出新增寬度DW以及總有效寬度。 A method used to extract the effective channel width of the MOSFET is disclosed and claimed in this invention. After measuring the gate capacitance of a category of multi-finger MOSFETs with the same total channel width in layout, M1 de-embed is performed on the measured gate capacitance to remove the parasitic capacitances from the pads and interconnection and then extract the intrinsic gate capacitance from the device under test (DUT), namely Cgg(DUT,OM1). The slope a between the M1 Cgg(DUT,OM1) and the gate finger number (NF) is extracted. The poly-end parasitic capacitance Cf(poly_end) contributed from the contacts of poly-gate finger ends to source/drain diffusion regions and their contacts are calculated. In this invention, the delta width (DW) and effective total channel width can be calculated by using a、Cf(poly_end) and Cox(inv).

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址