一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/251,890

專利證號

US6,770,903B2

專利獲證名稱

一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2004/08/03

技術說明

利用奈米粒子提高發光效率之金氧矽結構

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址