選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091134673

專利證號

I 230204

專利獲證名稱

選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/04/01

技術說明

本發明選擇性沉積碳奈米結構於矽晶基材之方法，依序包含下列步驟：於矽晶基材上決定欲 成長碳奈米結構的區域；於欲成長碳奈米結構的區域生長金屬矽化物；於金屬矽化物表面利 用化學氣相沉積法成長碳奈米結構。由於在矽晶基材上之金屬矽化物區域即為碳奈米結構成 長區域，因而達到選擇性沉積碳奈米結構之目的，另且，該金屬矽化物區域係由半導體製程 方法製造，所以本發明的製程方法與現有半導體設備相容性高。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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