奈米金屬線圖案化之方法，使用該方法製備而成之圖案化奈米金屬線電極以及包含該圖案化奈米金屬線電極做為材料之電晶體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104102496

專利證號

I 548587

專利獲證名稱

奈米金屬線圖案化之方法，使用該方法製備而成之圖案化奈米金屬線電極以及包含該圖案化奈米金屬線電極做為材料之電晶體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2016/09/11

技術說明

本發明係關於一種奈米金屬線圖案化之方法，包含：將一感光性聚醯胺酸高分子溶液塗佈於一矽基材上並烤乾；利用一光罩與該感光性聚醯胺酸高分子貼合後，以UV光照射；以顯影液顯影，獲得一具有圖案化聚醯胺酸之圖案化模板；將一奈米金屬線懸浮液塗覆於該圖案化模板上；且去除該圖案化聚醯胺酸以外的奈米金屬線。亦包含一種以上述方法製得之圖案化奈米金屬線電極以及以其做為電極材料之電晶體元件。本發明之一目的在於提供一種奈米金屬線圖案化之方法，包含下列步驟： (a)將一感光性聚醯胺酸高分子溶液塗佈於一矽基材上並烤乾； (b)利用一光罩與該感光性聚醯胺酸高分子貼合後，以能量射線照射； (c)以顯影液顯影，獲得一具有圖案化聚醯胺酸之圖案化模板； (d)將一奈米金屬線懸浮液塗覆於該圖案化模板上； (e)去除該圖案化聚醯胺酸以外的奈米金屬線。 The present invention relates to a method of producing patterned silver nanowire, comprising: coating a photosensitive polyamide acid polymer solution on a silica substrate and dried; using a photomask to paste on the photosensitive polyamic acid and illuminates by ultraviolet; using a developer to obtain a patterned polyamide acid template; coating a metal nanowire suspension on the patterned template; and removing the metal nanowire outside of the patterned polyamic acid. The present invention also discloses an electrode using the patterned metal nanowire and a transistor using the patterned metal nanowire electrode.

備註

本部(收文號1110015008)同意該校111年3月16日校研發字第1110018536號函申請終止維護專利(國立臺灣大學)

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