微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097133261

專利證號

I 381536

專利獲證名稱

微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/01/01

技術說明

本發明係有關一種薄膜式太陽能電池，特別是指一種微奈米結構PN二極體陣列薄膜太陽能電池及其製作方法。係將奈米線、奈米柱、微米結構或次微米結構之PN二極體陣列從主材料晶圓上移植下來，而後轉移至兩片相對應兩極之透明基板間，運用面為製作薄膜型太陽能電池，具有良好的晶體半導體優點，同時半導體基板可再次使用，節省大量的半導體材料。此外，還可容易堆疊不同半導體之此類薄膜太陽能電池，使太陽光譜之吸收得到最佳應用。

備註

本部(第1080006445號)同意該校108年01月23日校研發字第1080006102號函申請終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

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