零靜功耗高低多端互補式多位準轉換器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105113683

專利證號

I 606683

專利獲證名稱

零靜功耗高低多端互補式多位準轉換器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2017/11/21

技術說明

本發明提供一種零靜功耗高低多端互補式多位準轉換器，包括第一NMOS電晶 體、一第二NMOS電晶體、一第一PMOS電晶體及一第二PMOS電晶體，第一 NMOS電晶體之汲極與第一PMOS電晶體之汲極連接，第一NMOS電晶體之閘極 係連接控制輸入源，第二NMOS電晶體之閘極係透過一反相器連與控制輸入源連 接，第一NMOS電晶體及第二NMOS電晶體之源極接地，第二NMOS電晶體之汲 極與第二PMOS電晶體之汲極連接，第一PMOS電晶體及第二PMOS電晶體連接 高電位，其主要係藉由於第一NMOS電晶體與第一PMOS電晶體之間及第二 NMOS電晶體與第二PMOS電晶體之間分別串聯至少一定電壓元件，進而能夠轉 換二種位準之電壓，以達成提供一種結構簡單且零靜功耗、多端輸出互補式多 位準之位準轉換器之目的。 A zero static power consumption multi complementary multilevel converter, including a first NMOS transistor, a second NMOS transistor, a first PMOS transistor having a drain connected to that of the first NMOS transistor,and a second PMOS transistor having a drain connected to that of the second NMOS transistor, a gate of the first NMOS transistor is connected to a control input source, a gate of the second NMOS transistor is connected to the control input source via a phase inverter, source electrodes of the first and second NMOS transistors are connected to the ground, the first and second PMOS transistors are connected to high potential, between the first NMOS and PMOS transistors, and the second NMOS and PMOS transistors are connected at least one constant voltage element in series, which can change the voltage of two kinds of levels.

備註

本部(收文號1110019123)同意該校111年4月1日興產字第1114300232號函申請終止維護專利(國立中興大學)

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