電漿氮化的鈦基阻障層之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091010

專利證號

198198

專利獲證名稱

電漿氮化的鈦基阻障層之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2004/03/01

技術說明

本發明提出一種利用電漿氮化的鈦基(Ti-based)擴散阻障層的製造方法，以製造積體電路製 程中的阻障層，以阻絕金屬化製程時金屬(銅、鋁、鎢、銀)的擴散破壞。本方法透過化學氣 相沉積方式，以至少包含氯化鈦氣(TiCl4)、氫氣的反應前驅物於一化學氣相沉積系統進行 鈦基金屬薄膜沉積，鈦基金屬薄膜沉積後，再於系統的同一反應室(或另一反應室)進行氮化 電漿表面處理。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址