光纖共振腔之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104116793

專利證號

I 545360

專利獲證名稱

光纖共振腔之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/08/11

技術說明

一種光纖共振腔之製備方法，係包含：備有一第一單模光纖及一第二單模光纖，該第一單模光纖係具有一平整面，該第二單模光纖係具有一斜面，該斜面之傾斜角為3～8度；將該第一單模光纖及該第二單模光纖以該平整面及該斜面互相對位並進行熔接，以形成一腔室，其中，熔接之放電強度為10～20 bit、放電時間為300～600 ms、該平整面與該斜面的重疊為0.5～1.5 mm；以一蝕刻液蝕刻該腔室60～210分鐘，獲得該光纖共振腔。本發明光纖共振腔之製備方法係不需要複雜的錯位熔接及對位嵌入技術，進而可以達到提高製備該光纖共振腔的成功率之功效。 一種光纖共振腔之製備方法，係包含：備有一第一單模光纖及一第二單模光纖，該第一單模光纖係具有一平整面，該第二單模光纖係具有一斜面，該斜面之傾斜角為3～8度；將該第一單模光纖及該第二單模光纖以該平整面及該斜面互相對位並進行熔接，以形成一腔室，其中，熔接之放電強度為10～20 bit、放電時間為300～600 ms、該平整面與該斜面的重疊為0.5～1.5 mm；以一蝕刻液蝕刻該腔室60～210分鐘，獲得該光纖共振腔。本發明光纖共振腔之製備方法係不需要複雜的錯位熔接及對位嵌入技術，進而可以達到提高製備該光纖共振腔的成功率之功效。

備註

本部(收文號1080024962)同意該校108年4月18日中產營字第1081400370號函申請終止維護專利

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