壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101108373

專利證號

I 453948

專利獲證名稱

壓合式覆晶發光元件結構及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2014/09/21

技術說明

本發明提供一種壓合式覆晶發光元件結構及其製作發法，係形成正負電極及負電極於磊晶層上，再沉積一絕緣層於部分正電極及負電極上，分別裸露出一正電極通孔及一負電極通孔。於絕緣層及正電極通孔、負電極通孔上形成一壓合金屬層，使正電極及負電極藉由壓合金屬層而位於同一平面。壓合金屬層具有互相絕緣之第一壓合金屬單元及第二壓合金屬單元，且分別電連接於正電極及負電極；最後將一基板之第一壓合金屬第二壓合金屬分別對應第一壓合金屬單元及第二壓合金屬單元進行壓合成型，如此即可完成壓合式覆晶發光元件結構。 The invention provides a press-fit flip-chip light-emitting device structure and manufacturing made ​​law, and the positive and negative electrodes is formed on the epitaxial layer on the negative electrode, and then depositing an insulating layer on the part of the positive electrode and the negative electrode, a positive electrode, respectively, through the bare hole and a negative electrode through hole. And the positive electrode on the insulating layer through-hole, a negative electrode formed on the through hole nip metal layer, the positive electrode and the negative electrode by pressing the metal layer in the same plane. Lamination of the metal layer having a first nip mutually insulated metal unit and the second pressing metal unit, and are electrically connected to the positive electrode and a negative electrode.

備註

本部(收文號1100057322)同意該校110年9月7日長庚大學字第1100090078號函申請專利讓與(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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