晶片封裝結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102143210

專利證號

I 528507

專利獲證名稱

晶片封裝結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/04/01

技術說明

本發明揭露一種使用缺陷接地結構於積體電路上之訊號傳遞的阻抗匹配之方法。其中，積體電路訊號傳輸的結構至少包括一訊號焊墊及複數個非訊號焊墊於晶片端，以及對應之訊號與非訊號引腳或焊墊於封裝體端，而晶片與封裝體間之訊號傳遞可藉由圓形鎊線或帶狀鎊線。該缺陷接地結構設計於訊號傳輸路徑底部，並且可應用於QFN封裝底部之印刷電路板或多層板結構之積體電路封裝上。而積體電路的基板與印刷電路板則主要用來提供外部訊號以及接地的連接。本發明主要揭露一種利用缺陷接地結構特有的高電感性來補償訊號傳輸路徑上焊墊所引起的電容效應，藉以達到阻抗匹配並延伸操作頻寬。而其中的一項應用便是用來延伸QFN封裝的使用頻寬使其能操作在毫米波頻帶。 This invention discloses defective ground structures employed as partial circuit for IC signal impedance matching and transmission. Employing round wire bonds or ribbon bonds, IC signal transmission structures consist of a single signal pad and multiple non-signal pads on the IC side, and corresponding signal and ground leads or pads on the packaging side. The defective ground structures exist in the printed circuit board for the QFN or in the multi-layered substrate for the IC package and are located under the signal transmission structures. The IC substrate and the PCB provide the IC the necessary signal and ground connections from the external. The main disclosure of this invention teaches the use of inductive characteristic of the defective ground structure to compensate for the capacitive characteristic induced from the pads of the signal transmission structures, leading to matched impedance and extended frequency bands of operation.

備註

本部(第1080005689號)同意該校108年01月21日中產營字第1081400090號函申請終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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