可平衡殘留應力之多層微結構製造方法METHOD FOR FABRICATING A MULTILAYER MICROSTRUCTURE WITH BALANCING RESIDUAL STRESS CAPABILITY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/575,754

專利證號

US 8,088,692 B2

專利獲證名稱

可平衡殘留應力之多層微結構製造方法METHOD FOR FABRICATING A MULTILAYER MICROSTRUCTURE WITH BALANCING RESIDUAL STRESS CAPABILITY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/01/03

技術說明

一種可平衡殘留應力之多層微結構製作方法，其包括：形成一多層微結構於一基材上，其中多層微結構包括：一第一金屬層，其上依序疊置一金屬中介層與一第二金屬層，其中，第一金屬層與第二金屬層經由圖案化形成複數蝕刻通孔，為一圖案化對稱性結構，且金屬中介層包圍每一蝕刻通孔；以及一絕緣層，填滿蝕刻通孔及第一金屬層與第二金屬層間之間隙，並使第一金屬層藉由絕緣層堆疊於基材上。進行一等向性化學電漿蝕刻步驟，移除蝕刻通孔內之絕緣層及第一金屬層與基材間之絕緣層，形成一懸置多層微結構於基材上。

備註

本部(收文號1070013245)同意該校107年2月22日清智財字第1079001082號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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