氮化鎵電晶體的製作方法METHOD FOR FABRICATING A GaN-BASED THIN FILM TRANSISTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

日本

專利申請案號

特願 2011-150370

專利證號

特許 5645766

專利獲證名稱

氮化鎵電晶體的製作方法METHOD FOR FABRICATING A GaN-BASED THIN FILM TRANSISTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/11/14

技術說明

本發明提供一種氮化鎵電晶體的製作方法，包含一準備步驟、一開口形成步驟、一離子佈值步驟、一介電層形成步驟、一源/汲極沉積步驟，及一閘極沉積步驟，首先準備一含N型氮化鎵系半導體材料的半導體磊晶層，於該半導體磊晶層上形成一定義出一開口的遮覆層，接著對該半導體磊晶層進行P型離子佈值，於該半導體磊晶層形成一摻雜區，再於該半導體磊晶層表面沉積一層由高介電常數材料構成的介電層，之後於該半導體磊晶層表面對應該摻雜區兩側形成一源極及一汲極，再於對應該摻雜區上方的介電層表面形成一閘極，即可完成該氮化鎵電晶體的製作。 This invention provides a method for fabricating a GaN thin film transistor, including a preparing step, a open-area forming step, an implantation step, a dielectric-layer forming step, a S/D depositing step and a gate depositing step. First, preparing a semiconductor epitaxial layer comprising N-based GaN semiconductor material, then forming a mask layer on said semiconductor epitaxial layer and define a open-area on said mask layer, then proceed a p-type ion-implant process through the open-area into said semiconductor epitaxial layer forming a doped-area. After that, depositing a dielectric layer on said semiconductor epitaxial layer then depositing an S/D layer and a gate layer on said dielectric layer.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址