碳化矽與矽分離方法(一)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108146073

專利證號

I 712559

專利獲證名稱

碳化矽與矽分離方法(一)

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2020/12/11

技術說明

利用碳化矽對矽晶圓進行切削的過程中，會產生含有碳化矽與矽之矽晶圓切削廢棄物。本方法可對碳化矽與矽進行直接分離。將含有碳化矽與矽之矽晶圓切削廢棄物，於水中分散後，添加適當及適量之界面活性劑及有機溶劑，可使碳化矽與矽分別移至有機溶劑相或停留於水相中，而達成相互分離的效果。 In the silicon wafer slicing process of solar cell fabrication, silicon carbide is used to cut the silicon ingots into thin wafers. After the slicing process, a kerf loss slurry which contains silicon carbide and silicon powders is generated. This method can separate silicon carbide and silicon directly. By dispersing the silicon carbide and silicon powders in water followed by adding surfactant collector and organic solvent, silicon carbide and silicon move to organic solvent phase and water phase, respectively, and thus the mutual separation of the two powders is achieved.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

網址