自我分離層之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096149043

專利證號

I 360236

專利獲證名稱

自我分離層之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/03/11

技術說明

本技術自我分離層之製造方法是利用極為細小的奈米結構, 再加上熱應力使主要基板和次要基板完整分離的技術。此技術可以應用在LED等光電產品的製造上, 具有節省Laser Lift Off Process 成本的可能性, 也因此可以減少Laser Lift off所產生的Thermal Damage。 本技術自我分離層之製造方法是利用極為細小的奈米結構, 再加上熱應力使主要基板和次要基板完整分離的技術。此技術可以應用在LED等光電產品的製造上, 具有節省Laser Lift Off Process 成本的可能性, 也因此可以減少Laser Lift off所產生的Thermal Damage。 The Process uses specially fabricated nano structures combing with thermal stress to generate a self separation layer between two substrates. This technology can reduce the cost especially in the LED fabrication where Laser Lift off Process is needed to separate the epi-layer and Sapphire substrate.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址