三五族金屬-氧化物-半導體元件III-V METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/757,861

專利證號

US 8,519,488 B2

專利獲證名稱

三五族金屬-氧化物-半導體元件III-V METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/08/27

技術說明

本技術研究藉由沈積新穎的高介電值氧化物介電層La2O3，以改善元件之EOT值，但由於La2O3高介電值材料之低能間隙特性，易造成半導體與氧化物層間之相互作用，造成層間界面的不穩定性與半導體元件的電性失效，因此本實驗利用HfO2作為La2O3的擴散阻擋層，以抑制La2O3與三五族複合物基板間的相互擴散，亦可更進一步提昇半導體元件金屬-氧化物-半導體元件之EOT。 本報告欲保護的專利範圍，包括: 1.將氧化鑭/氧化鉿(La2O3/HfO2)的氧化物複合層技術應用於砷化銦三五族複合物半導體元件金屬-氧化物-半導體電容結構。 2.藉由使用氧化鉿(HfO2)當作擴散阻擋層，抑制高介電係數之氧化層如氧化鑭(La2O3)、氧化鈰(CeO2)等與三五族複合物半導體基板間的相互擴散。 In this patent，a brand new high dielectric constant oxide La2O3 was used to improvement EOT for FET devices. However, the lower energy bandgap of La2O3 will result in interdiffusion on between semiconductor and oxide layer, and the device failure. Therefore, in this patent, we supply the technique that is using HfO2 as barrier layer to avoid the inter-reaction between semiconductor and La2O3 and hence improve EOT for device.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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