MEMORY APPARATUS AND WRITE FAILURE RESPONSIVE NEGATIVE BITLINE VOLTAGE WRITE ASSIST CIRCUIT THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/199,662

專利證號

US 9,779,802 B1

專利獲證名稱

MEMORY APPARATUS AND WRITE FAILURE RESPONSIVE NEGATIVE BITLINE VOLTAGE WRITE ASSIST CIRCUIT THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2017/10/03

技術說明

本技術提供了一種存儲裝置及其寫入輔助電路，寫入輔助電路使用負位元線（NBL）寫入輔助方案來保證對存儲裝置的成功寫入操作。 本技術提供了一套寫入輔助電路，其中包括寫入偵測電路，偵測感知寫入驅動器和寫入狀態恢復電路。寫入偵測電路接收寫入失敗偵測啟用信號和寫入數據，並且在偵測期間根據偵測到的結果信號產生寫入偵測控制信號，並根據偵測結果信號和寫入數據產生選擇信號。偵測感知寫入驅動器接收寫入偵測控制信號，並根據寫入偵測控制信號對所選擇的存儲單元進行寫入狀態偵測，並且決定是否向位線和反相位之一提供負電壓來幫助寫入。 本技術提供了包括多個存儲器單元，多個YPASS電路，多個偵測感知寫入驅動器，多個讀取電路和由多個輸入輸出（I / O）電路。每一個偵測感知寫入驅動器都包含上述寫入輔助電路。 YPASS電路耦合到存儲單元。寫入電路分別耦合到YPASS電路，讀取電路耦合到YPASS電路並分別耦合到偵測感知寫入驅動器。負電壓產生器耦合到寫入輔助電路，並根據每個I / O電路的選擇信號決定是否向該寫入輔助電路提供負電壓。 本技術根據即時的偵測寫入操作狀態，利用選擇信號選擇是否開啟負位元線方案以輔助存儲裝置的寫入操作。寫入輔助電路可以檢測寫操作是成功還是故障，並且僅當寫操作故障時才能激活負位線方案。如此，可以節省存儲裝置的動態能量。 The disclosure provides a memory apparatus and a write assist circuit thereof, and the write assist circuit can guarantee successful write operations on the memory apparatus with a negative bit line (NBL) write assist scheme. The disclosure provides the write assist circuit including a write detection circuit, a write detection-aware write driver and a write condition recovery circuit. The write detection circuit receives a write failure detection enable signal and a write data, and generates a write detect control signal according to the detected result signal during a write detection time period and generating a selecting signal according to a detection result signal and the write data.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址