Injection locked frequency divider

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/580,550

專利證號

US 10,771,064 B1

專利獲證名稱

Injection locked frequency divider

專利所屬機關 (申請機關)

國立暨南國際大學

獲證日期

2020/09/08

技術說明

1. 本發明主要應用在射頻電路之前端的應用上，並提出若干新的設計架構用來改善射頻前端電路之除3除頻器的效能，用以增加除3除頻器可延伸出的應用層面。 2. 本發明基於Cross-Coupled Transistors 源極端的二階諧波信號增強技術，使得除3除頻器的二階諧波信號可以增強，並間接將電路的所需的功率損耗減少、以及讓電路的頻率鎖定範圍增廣。 本發明提出Cross-Coupled Transistors 源極端的二階諧波信號增強技術之注入鎖定除頻器，使其電路能得到更佳的效能。本發明可改善習知注入鎖定除頻器由於Cross-Coupled Transistors M1/M2 閘極的二階諧波信號不強，所造成的主要缺點： (1) 功率損耗（power consumption）較高 (2) 頻率鎖定範圍（frequency locking range）較窄 本發明之具有Cross-Coupled Transistors M1 / M2 源極端的二階諧波信號增強技術之注入鎖定除頻器，能夠使電路得到更佳的效能。其操作原理說明如下： 如圖3所示，電路尾端電晶體 M5 將注入的單頻信號單獨放大，接著將此信號注入較下端的 Cross-Coupled Transistors M3/M4，由 M3/M4 將此源極端的放大後的注入信號和閘極端的震盪信號混合，並在 M3/M4 汲極端混波出顯著的二倍頻信號，並注入較上端的Cross-Coupled Transistors M1/M2。之後，較上端的 Cross-Coupled Transistors M1/M2 源極端的顯著地二倍頻信號和其閘極端的震盪信號混合，並在 M1/M2 汲極端混波出電路所需的輸出信號。

備註

本會(收文號1120047895)同意該校112年6月9日暨校研字第1121003534號函申請終止維護專利(國立暨南國際大學)/依本會112年第3次研發成果管理審查會決議辦理

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