高效率窄峰高穩定ZnInP/ZnS/AlOx量子點製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110141494

專利證號

I 782781

專利獲證名稱

高效率窄峰高穩定ZnInP/ZnS/AlOx量子點製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2022/11/01

技術說明

本發明藉由改變ZnInP核心與包覆第一ZnS殼層與第二AlOx殼層之反應時間，以達到調控ZnInP/ZnS/AlOx半高寬與提升量子效率和熱穩定性的目的，結果證實本發明可有效窄化半高寬，最窄可低於35 nm以下，且量子效率與熱穩定性亦可顯著提升，從而提升ZnInP/ZnS/AlOx量子點在顯示器白光背光源之產業利用性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

網址