利用光學微影技術製作抗反射結構之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093137720

專利證號

I 294555

專利獲證名稱

利用光學微影技術製作抗反射結構之方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2008/03/11

技術說明

本發明係揭露一種利用光學微影技術製作抗反射結構之方法，其係利用現有光學微影技術 來製作，並同時配合調整曝光機台的數值孔徑、聚焦深度、曝光劑量與曝光時間等曝光參 數，以及適當設計光罩的結構排列，以調變製作出的抗反射結構之傾斜角度、週期大小及最 佳化排列方式等；更可針對特定光波長之光電元件應用來設計抗反射結構，以降低其反射 率，提高光電元件之光電效率。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址