用於製作金氧半場效電晶體用的基板及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097100702

專利證號

I 362693

專利獲證名稱

用於製作金氧半場效電晶體用的基板及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/04/21

技術說明

本發明主要是一種用於製作金氧半場效電晶體用的基板的製作方法，包含先在一減壓環境中提供一由鍺構成並完成表面重建的基底，與一供分子束磊晶用且為氧化釔（Y2O3）、氧化鎵釓（Ga5Gd3O12），或氧化鉿（HfO2）的固態金屬氧化物靶材，以及用電子束在該減壓環境中作用靶材，而在低於靶材的再結晶溫度的工作溫度下形成一呈非晶態的氧化釔（Y2O3）、氧化鎵釓（Ga2O3(Gd2O3)）或氧化鉿（HfO2）的金屬氧化物膜等兩步驟，進而製得用於製作金氧半場效電晶體用的基板。本發明還提供一種用於製作金氧半場效電晶體用的基板。

備註

本部(收文號1090057669)同意該校109年9月15日清智財字第1099006426號函申請終止維護專利(清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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