太陽能電池及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098121158

專利證號

I 398008

專利獲證名稱

太陽能電池及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/06/01

技術說明

本發明提供一種太陽能電池的製作方法，其特色在於，利用回火方式讓形成在第一型半導體層上的部分晶粒，表面進行再結晶而相互融合後，形成具有複數孔洞之多孔層，另外，本發明亦同時提供一種太陽能電池，依序包含基座、第一型半導體層、多孔層、本質半導體層、第二型半導體層，及頂電極，利用多孔層的複數孔洞，將進入多孔層的光進行多重折射、散射或反射後，改變光線的行進方向，而將光線再次導引進入本質半導體層中，供其吸收轉換成電能，以提昇光利用率，並進一步提昇太陽能電池的光電轉換效率。 The present invention also provides a solar cell comprising a substrate, a first type semiconductor layer, a porous layer, an intrinsic semiconductor layer, a second type semiconductor layer, and a top electrode in this order, and a plurality of holes are formed in the porous layer After multiple refraction, scattering or reflection, the light is redirected into the intrinsic semiconductor layer for absorption and conversion into electric energy to enhance the light utilization efficiency and further enhance the photoelectric conversion efficiency of the solar cell . Wherein the porous layer of the plurality of pores is formed by partially crystallizing a part of the crystal grains formed on the first-type semiconductor layer by means of a tempering method to form a porous layer having a plurality of pores after recrystallization and fusion with each

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

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