高電子遷移率電晶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103138491

專利證號

I 549297

專利獲證名稱

高電子遷移率電晶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/09/11

技術說明

本發明揭露製作具高穩定性臨界電壓之常關式氮化鎵電晶體之技術。我們在高介電係數氧化層與氮化鎵之間插入氮化鋁絕緣層，可大幅改善元件在操作時產生的臨界電壓遲滯的問題。本案之特點在於利用金屬氮化物(nitrogen based)氮化鋁(AlN)絕緣材料改善氮化鎵與高介電係數氧化層介面不良之問題。而閘極漏電流也因高介電係數氧化層的加入而降低，得以改善電晶體特性。如此將適合於高電壓操作下之氮化鎵電晶體應用。此技術有助於減少元件待機時之功率損耗，以及提升使常開式與常關式整合之氮化鎵數位邏輯電路之可行性。 In this patent, we propose a technique of fabricating the normally off GaN based transistor with high threshold voltage stability. This technique is achieved by inserting the AlN gate insulator between high-k dielectric materials and GaN. The proposed device can reduce the threshold voltage hysteresis to achieve goals of low power consumption under off state of transistors, and possible integration of normally on and normally off of GaN transistors for GaN digital logic circuits.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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