在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095107229

專利證號

I 303879

專利獲證名稱

在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2008/12/01

技術說明

本發明揭露一種在Si(110)基板上製作SiGe通道nMOSFET元件之結構。在Si(110)基板上成長一p--SiGe磊晶層, 以此磊晶 層作為電子通道層製作nMOSFET元件。由於SiGe在(110)面內受到雙軸壓縮應變(biaxial compressive strain), [001] 方向的兩個能谷(energy valley)降低, 沿[100]和[010]方向的四個能谷升高(如圖3), 隨著SiGe內壓縮應變(或Ge 組成)增加, 大部分電子會轉移到[001]方向的兩個能谷中。 當電子沿[1-10]方向運動, 其電子遷移率會得到提升, 因為電子沿此方向的傳導有效質量(conductivity effective mass)只由橢球等能面短軸方向的有效質量(mt)決定, 有 效質量最小。 因此, 如果在Si(110)晶面上成長SiGe薄膜, 並沿[1-10]方向作為通道製作nMOSFET元件, 其電性能會得 到改善。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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