具有 p型應力結構InGaN層的GaN異質結構雙載子電晶體及其製造方法GaN heterojunction bipolar transistor with a p-type strained InGaN base Layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/308,959

專利證號

US 7,622,788 B2

專利獲證名稱

具有 p型應力結構InGaN層的GaN異質結構雙載子電晶體及其製造方法GaN heterojunction bipolar transistor with a p-type strained InGaN base Layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2009/11/24

技術說明

本發明提出新式的氮化鎵異質接面雙載子電晶體，在基極層上具有應力結構氮化銦鎵層 （strained InGaN）。利用應力結構氮化銦鎵層，在基極表面中形成2DHG，增加基極載子濃 度。在製程上不但可以改善基極蝕刻後電阻的增加，而且可以簡化製程不必重新成長。再加上 InGaN介於AlGaN與GaN之間，使得電晶體工作在射極-基極電壓順偏向壓下時，射極與基極之間 的等效傳導帶會有效降低，得到降低起始電壓的優點。

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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