具氮化鋁薄膜之熱擴散元件及其製作方法Heat spreading element with AlN film and method for manufacturing the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099140602

專利證號

I 490117

專利獲證名稱

具氮化鋁薄膜之熱擴散元件及其製作方法Heat spreading element with AlN film and method for manufacturing the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/07/01

技術說明

構想原由 AlN目前有兩大應用：第一種應用是作為散熱、電容…等用途，其製作方式是以燒結的方式製作塊材式的AlN，第二種應用是作為濾波元件，其製作方式是以RF sputter的方式鍍製具方向性的AlN薄膜；本案的構想為以鍍製之AlN取代燒結之AlN。 為何以鍍製之AlN取代燒結之AlN AlN之燒結過程不易控制，所以不易得到良好燒結之AlN，而且容易出現批次暇疪（run to run differnce）；相對而言鍍製之AlN較不會出現批次製程暇疪，所得膜的品質也較穩定。 鍍製的AlN可以鍍製在不同的基材上；如：矽、金屬、玻璃、軟性基材…等，這使得其應用面更廣。鍍製之AlN可與現今之半導體製程整合在一起，因而有更佳的應用，如將電容元件與其它電路元件整合於同一晶片上。 技術說明： 為使高功率元件有好的散熱特性，因此，就要需要有好的的散熱組件，目前大多是以燒結的方式製作塊材式的AlN。本技術以鍍製AlN薄膜來取代傳統的塊材式AlN，主要是因為薄膜式有下列好處： AlN之燒結過程不易控制，所以不易得到良好燒結之AlN，而且容易出現批次暇疪（run to run differnce）；相對而言鍍製之AlN較不會出現批次製程暇疪，所得膜的品質也較穩定。 鍍製的AlN可以鍍製在不同的基材上；如：矽、金屬、玻璃、軟性基材…等，這使得其應用面更廣。鍍製之AlN可與現今之半導體製程整合在一起，因而有更佳的應用，如將電容元件與其它電路元件整合於同一晶片上。 The present invention relates to a heat spreading element with an AlN film comprising: a substrate which may be composing of a single bulk material, a multilayer-structured sample, or a composite material; and an AlN film disposed on the surface of the substrate, wherein the thickness of the AlN film is in a range of 1 nm to 10 μm, and the AlN film is used to conduct the heat from a heat-generating device to the substrate, and method for manufacturing the same.

備註

本會(收文號1120009636)同意該校112年2月16日清智財字第1129001196號函申請終止維護專利(國立清華大學)

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